2010年04月15日 13:00

オン・セミコンダクタ、ショットキ・ダイオード内蔵30 V Nチャネル・パワーMOSFETにより、高電圧パワー・ソリューション製品を拡張

2010年4月15日 - グリーン・エレクトロニクス向け高性能・高エネルギー効率シリコン・ソリューションの最有力サプライヤであるオン・セミコンダクタ（Nasdaq: ONNN）は、ショットキ・ダイオードを内蔵した新しい30V製品を発表し、Nチャネル・パワーMOSFETデバイスのポートフォリオを拡張しました。

NTMFS4897NF、NTMFS4898NF、NTMFS4899NFは、10 Vでの最大RDS(on)値がそれぞれ2 mΩ、3 mΩ、5 mΩで、より高い電力効率を達成するために、バック・コンバータ・アプリケーションにおける同期サイド用に最適化されています。標準ゲート・チャージ仕様は、それぞれ39.6 nC、25.6 nC、12.2 nC（Vgs = 4.5 V時）であり、スイッチャ損失も最小限に抑えられます。

オン・セミコンダクタの新しいパワーMOSFETの標準アプリケーションには、サーバ、テレコム・ネットワーク・インフラストラクチャ、PC、ノートブック・コンピュータ、およびゲーム・コンソール用のDC-DC変換、POL (point-of-load)変換、ロウ・サイド・スイッチング・タスクなどがあります。

オン・セミコンダクタの副社長兼パワーMOSFET事業部ジェネラル・マネージャ、Paul Leonard氏は次のように語っています。「基礎FET構造と同じダイにショットキを集積することによって、デッドタイム導通損失が低減され、効率と波形が改善されます。」「これらの新しいデバイスは、お客様が固有のデザイン問題を解決するための幅広い製品群を提供します。」

パッケージと価格

NTMFS4897NF、NTMFS4898NF、NTMFS4899NFはすべて熱抵抗の低いコンパクトなSO-8FL、5 mm x 6 mm、RoHS準拠パッケージで提供されます。これらのデバイスの10,000個注文時の単価はUS$0.45～US$0.90です。

詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。