【矢野経済研究所マーケットレポート】「2012年版 SiC・GaN単結晶市場の現状と将来展望」を発刊いたしました

ポストSiのパワー半導体としてSiCとGaNのワイドギャップ半導体はインバータ、コンバータなどの電力損失を大幅低減できる次世代のパワー半導体として注目されている。その基板材料としてSiCとGaN単結晶も日米欧の先行メーカーだけでなく中国などアジアメーカーもこれをキャッチアップしようとしている。これらによりウエハー高品質化や大口径化など、ワイドギャップ半導体デバイスの市場拡大に向けた取り組みが進められている。このSiCとGaNの単結晶の現状、および今後の市場性に関し、単結晶メーカーだけでなく同じ領域で戦う技術であるGaN on Siなどへのヒアリングも加えることで、ワイドギャップ半導体デバイスの市場浸透時期と規模をベースとした単結晶市場の今後の動向を捉えるレポートとして発刊致しました。

発刊日: 2012/02/22
体裁: A4 / 102頁
書籍 定価 136,500円 (本体 130,000円 消費税 6,500円)
PDFレギュラー(事業所内利用限定版) 定価 136,500円 (本体 130,000円 消費税 6,500円)
セット(書籍とPDFレギュラー) 定価 168,000円 (本体 160,000円 消費税 8,000円)
PDFコーポレート(法人内共同利用版) 定価 273,000円 (本体 260,000円 消費税 13,000円)


■本資料のポイント

・フィールドテスト進むSiCはついに夜明け前
・眼前の6インチウエハーでの戦いが雌雄を決する
・次代のエネルギーインフラに向けた新・環境デバイス材料市場が立ち上がる
・SiC：合い言葉の「1インチ1万円」は目標ではなく通過点
・GaN：逆転シナリオへ、幕引き間近のラストチケットを手に開発は背水の陣
・SiCとGaN、両ウエハーに割って入るGaN on Siなどヘテロ接合の潜在能力は高し


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