amsは現在、「”More than Silicon”（シリコンを超える）」戦略をさらに拡張し、2015年に行う特定のMPWランにおいて、シャトル利用のお客様に、高度なパッケージングサービスとしてのWLCSP（ウェハレベル・チップスケールパッケージング）を提供します。この迅速なプロトタイプサービスとチップスケール パッケージングの独特の組み合わせは、大幅なコスト削減と高度な柔軟性をファウンドリカスタマに提供します。
amsのクラス最高のMPWサービスは、0.18μmと0.35μmの全製造プロセスに対応しています。amsは、最先端のアナログ半導体プロセスの技術、製造およびサービスを提供するため、0.18μm CMOS （C18）プロセスでの4回のMPW、および1.8V、5V、20Vおよび50Vデバイスをサポートする0.18μm高耐圧CMOS （H18）先端技術での4回のMPWを行います。TSMC（台湾セミコンダクタ・マニュファクチャリング・カンパニー）より当社が引き継いだ0.35μm CMOSプロセスに基づく0.35μm特殊プロセスでは、2015年に計14回のMPWを行う予定です。車載用および産業用の高耐圧設計に最適な0.35μm高耐圧CMOSプロセスファミリは、20V、50Vおよび120Vデバイスをサポートします。EEPROM組み込みを特長とした先進の高耐圧CMOSプロセス並びに 0.35μm SiGe-BiCMOS技術S35は、CMOS をベースにしたプロセスおよびamsのMPWサービスポートフォリオと完全な互換性を有しています。
2015年amsは、長期にわたり連携しているCMP、Europractice、Fraunhofer IISおよびMosisなどのパートナーにより、全体でおよそ150のMPWを行います。日本のお客様も、ローカルMPWプログラムパートナーである株式会社トッパン・テクニカル・デザイン・センター （TDC）を介して参加することが可能です。
プロセス毎にMPW開始日を詳細に記載している2015年の全スケジュールは、以下のウェブサイトに掲載しています。http://asic.ams.com/MPW
MPWサービスを有効活用するために、amsのファウンドカスタマには完全なGDSIIデータを特定の期日にご提供いただくことになりますが、CMOSでは通常8週間、高耐圧CMOS、SiGe-BiCMOSおよびフラッシュ組み込みプロセスでは、12 週間という短いリードタイムで、未試験のパッケージ化されたサンプルまたはダイをお受け取りいただけます。
すべてのプロセス技術は、Cadence、Mentor GraphicsまたはKeysight ADS設計環境に基づいたamsのベンチマークプロセスのデザインキット、hitkitによってサポートされています。hitkitでは、コンパレータ、オペアンプ、低電力A/DおよびD/Aコンバータなどのフルシリコンのスタンダードセル、周辺セルおよび汎用アナログセルなどを提供しています。カスタムアナログおよびRFデバイス、AssuraおよびCalibre用の物理検証ルールセット、並びに精密に特性付けされた回路シミュレーションモデルは、複雑で高性能なミックスドシグナルICの迅速な設計開始を可能にします。標準プロトタイプサービスに加えて、高度アナログIPブロック、メモリ（RAM/ROM）ジェネレーションサービスおよびセラミックまたはプラスティックのパッケージングサービスも提供しています。
ams のフルサービスファウンドリ事業部門について
amsのフルサービスファウンドリ事業部門は、アナログ/ミックスドシグナル ファウンドリ市場における良好な地位を確立しました。同事業部門のプロセス技術のポートフォリオは、amsアナログ、ミッスクドシグナル、高耐圧およびRFプロセスに基づく0.18umおよび0.35um特殊技術を含みます。amsは、「”More than Silicon”」戦略により、業界標準のファウンドリサービスの枠を超えて総合的なサービスと技術パッケージを提供しています。それは、シリコン貫通ビアを使用する3D IC、カラーコーティング、バックエンドプロセスのカスタマイズ、WLCSPなどの最新技術拡張を含みます。フルサービスファウンドリ パッケージは、設計段階の優れたサポート、高性能ツールおよび経験豊富な技術者、シリコンにより証明された高性能アナログIPブロック、ターンキーソリューションのためのアセンブリおよびテストサービスを提供しています。
本件に関するお問い合わせ先
ams広報担当：神谷
Tel: 03-5269-1038 Email: ams@jspin.co.jp
amsのクラス最高のMPWサービスは、0.18μmと0.35μmの全製造プロセスに対応しています。amsは、最先端のアナログ半導体プロセスの技術、製造およびサービスを提供するため、0.18μm CMOS （C18）プロセスでの4回のMPW、および1.8V、5V、20Vおよび50Vデバイスをサポートする0.18μm高耐圧CMOS （H18）先端技術での4回のMPWを行います。TSMC（台湾セミコンダクタ・マニュファクチャリング・カンパニー）より当社が引き継いだ0.35μm CMOSプロセスに基づく0.35μm特殊プロセスでは、2015年に計14回のMPWを行う予定です。車載用および産業用の高耐圧設計に最適な0.35μm高耐圧CMOSプロセスファミリは、20V、50Vおよび120Vデバイスをサポートします。EEPROM組み込みを特長とした先進の高耐圧CMOSプロセス並びに 0.35μm SiGe-BiCMOS技術S35は、CMOS をベースにしたプロセスおよびamsのMPWサービスポートフォリオと完全な互換性を有しています。
2015年amsは、長期にわたり連携しているCMP、Europractice、Fraunhofer IISおよびMosisなどのパートナーにより、全体でおよそ150のMPWを行います。日本のお客様も、ローカルMPWプログラムパートナーである株式会社トッパン・テクニカル・デザイン・センター （TDC）を介して参加することが可能です。
プロセス毎にMPW開始日を詳細に記載している2015年の全スケジュールは、以下のウェブサイトに掲載しています。http://asic.ams.com/MPW
MPWサービスを有効活用するために、amsのファウンドカスタマには完全なGDSIIデータを特定の期日にご提供いただくことになりますが、CMOSでは通常8週間、高耐圧CMOS、SiGe-BiCMOSおよびフラッシュ組み込みプロセスでは、12 週間という短いリードタイムで、未試験のパッケージ化されたサンプルまたはダイをお受け取りいただけます。
すべてのプロセス技術は、Cadence、Mentor GraphicsまたはKeysight ADS設計環境に基づいたamsのベンチマークプロセスのデザインキット、hitkitによってサポートされています。hitkitでは、コンパレータ、オペアンプ、低電力A/DおよびD/Aコンバータなどのフルシリコンのスタンダードセル、周辺セルおよび汎用アナログセルなどを提供しています。カスタムアナログおよびRFデバイス、AssuraおよびCalibre用の物理検証ルールセット、並びに精密に特性付けされた回路シミュレーションモデルは、複雑で高性能なミックスドシグナルICの迅速な設計開始を可能にします。標準プロトタイプサービスに加えて、高度アナログIPブロック、メモリ（RAM/ROM）ジェネレーションサービスおよびセラミックまたはプラスティックのパッケージングサービスも提供しています。
ams のフルサービスファウンドリ事業部門について
amsのフルサービスファウンドリ事業部門は、アナログ/ミックスドシグナル ファウンドリ市場における良好な地位を確立しました。同事業部門のプロセス技術のポートフォリオは、amsアナログ、ミッスクドシグナル、高耐圧およびRFプロセスに基づく0.18umおよび0.35um特殊技術を含みます。amsは、「”More than Silicon”」戦略により、業界標準のファウンドリサービスの枠を超えて総合的なサービスと技術パッケージを提供しています。それは、シリコン貫通ビアを使用する3D IC、カラーコーティング、バックエンドプロセスのカスタマイズ、WLCSPなどの最新技術拡張を含みます。フルサービスファウンドリ パッケージは、設計段階の優れたサポート、高性能ツールおよび経験豊富な技術者、シリコンにより証明された高性能アナログIPブロック、ターンキーソリューションのためのアセンブリおよびテストサービスを提供しています。
本件に関するお問い合わせ先
ams広報担当：神谷
Tel: 03-5269-1038 Email: ams@jspin.co.jp
