【矢野経済研究所調査結果サマリー】パワーモジュールの世界市場に関する調査結果 2014 －環境規制・省エネルギー化の影響を受けて2015年以降も2桁の成長で市場は拡大－

1．調査期間： 2014年11月～2015年1月
2．調査対象： パワー半導体メーカ、パワーエレクトロニクス機器メーカ
3．調査方法： 当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用

＜パワーモジュールとは＞
本調査におけるパワーモジュールとは、電力変換で使われるパワー半導体のIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）とダイオードを複数個実装し、専用ケースに封入したIGBT モジュールや、IGBT モジュールなどに過電流や過熱などの保護回路を内蔵したIPM（Intelligent Power Module）、MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）を実装し封入したMOSFET モジュールを指す。
いずれも、搭載機器のインバータ/コンバータ回路に使われるが、回路構成に応じて様々な製品種類があり、モジュールの仕様（耐圧/電流値、サイズ、実装されるパワー半導体の数）も異なる。

◆ 2014年におけるパワーモジュールの世界市場は37.2億ドルの見込み
◆ パワーモジュール世界市場の2015年から2020年までの年平均成長率（CAGR）は12.0%で推移し、2020年には80.3億ドルに成長と予測
◆ 2020年における世界のパワーモジュールのメーカ出荷数量は2億2,224万8,000個と予測

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