1．調査期間：2015年9月～2016年1月
2．調査対象：パワー半導体メーカ、ウエハーメーカ、システムメーカ等
3．調査方法：当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用
4．発刊日：2016年1月29日
＜パワー半導体とは＞
パワー半導体とは主にインバータ/コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子である。本調査では、パワーMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）/IPD（Intelligent Power Device）やダイオード、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC（シリコンカーバイド）、GaN（ガリウムナイトライド）パワーデバイスを含む。
◆2015年のパワー半導体世界市場規模は前年比7.0%減の148億2,000万ドルの見込
◆パワー半導体の世界市場は自動車、産業機器向けが市場を牽引し、2020年は231億ドルに伸張し、2025年は339億1,000万ドルに拡大すると予測
◆2020年から本格的にSiC、GaNパワー半導体市場が立ち上がり、2025年の世界市場規模は31億3,000万ドルに達すると予測
無断転載禁止
詳細プレスリリースは以下をご参照ください。
■プレスリリース
http://www.yano.co.jp/press/press.php/001499
※掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。
お問い合わせ
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（株）矢野経済研究所 マーケティング本部 広報チーム
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3．調査方法：当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用
4．発刊日：2016年1月29日
＜パワー半導体とは＞
パワー半導体とは主にインバータ/コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子である。本調査では、パワーMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）/IPD（Intelligent Power Device）やダイオード、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC（シリコンカーバイド）、GaN（ガリウムナイトライド）パワーデバイスを含む。
◆2015年のパワー半導体世界市場規模は前年比7.0%減の148億2,000万ドルの見込
◆パワー半導体の世界市場は自動車、産業機器向けが市場を牽引し、2020年は231億ドルに伸張し、2025年は339億1,000万ドルに拡大すると予測
◆2020年から本格的にSiC、GaNパワー半導体市場が立ち上がり、2025年の世界市場規模は31億3,000万ドルに達すると予測
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