KD Market Insightsは、「ゲート・オール・アラウンド（GAA）トランジスタ市場：将来動向および機会分析 ― 2025～2035年」と題した市場調査レポートの発刊を発表しました。本レポートの市場範囲は、現在の市場動向および将来の成長機会に関する情報を網羅しており、読者が十分な情報に基づいた事業判断を行えるよう支援します。本調査レポートでは、KD Market Insightsの研究者が一次調査および二次調査の分析手法を活用し、市場競争の評価、競合他社のベンチマーク、ならびに各社のGTM（Go-To-Market）戦略の理解を行っています。
市場概要
ゲート・オール・アラウンド（GAA）トランジスタは、FinFET技術に続く次世代のトランジスタアーキテクチャとして位置付けられています。GAA設計では、ゲートがチャネル（主にナノシートまたはナノワイヤの形状）を完全に取り囲む構造となっており、FinFETと比較して優れた静電制御を実現します。この構造により、リーク電流が大幅に低減され、駆動電流が向上し、3nm以下の先端プロセスノードにおけるトランジスタの継続的な微細化が可能となります。
サンプルレポートのご請求はこちら@ https://www.kdmarketinsights.jp/contact-us
従来のFinFETアーキテクチャが物理的および性能面で限界に直面する中、GAAトランジスタは、高性能コンピューティング（HPC）、人工知能（AI）、モバイルプロセッサ、データセンター向けの次世代ロジックチップにおいて、ムーアの法則を維持するための重要な技術となっています。本市場は、GAAベースの製造へ移行する主要半導体ファウンドリおよび統合デバイスメーカー（IDM）によって牽引されています。
市場規模およびシェア
世界のGAAトランジスタ市場は、プロセス開発、初期段階の量産、プレミアムロジックチップの採用を主因として、約12億～16億米ドル規模と推定されています。GAAが3nm以下のロジックノードにおける標準アーキテクチャとなるにつれ、今後10年間で年平均成長率（CAGR）25～30％で成長すると予測されています。
アジア太平洋地域は、韓国および台湾に先端半導体製造が集中していることから、市場を支配しています。市場シェアの大部分はファウンドリ主導の採用が占めており、これに続いて先端ロジックチップを自社生産するIDMが位置付けられています。現在、GAAの採用は最先端ノードに限定されていますが、FinFETの微細化が限界を迎える2026年以降、ロジックトランジスタ全体に占めるGAAの比率は急速に拡大すると見込まれています。
主な成長要因
・FinFET微細化の限界：FinFETは3nm以下で短チャネル効果への対応が困難となり、GAAへの移行が不可欠。
・高性能・低消費電力への需要：AI、HPC、モバイル用途では、より高い電力効率と高速スイッチングが求められる。
・先端ノード競争：主要ファウンドリは、次世代プロセスにおける差別化要因としてGAAを活用。
・優れた静電制御：GAA構造により、チャネル幅や厚みを精密に制御でき、性能とリークの最適化が可能。
・ナノシートのカスタマイズ性：可変ナノシート幅により、用途別に性能調整が可能。
市場概要
ゲート・オール・アラウンド（GAA）トランジスタは、FinFET技術に続く次世代のトランジスタアーキテクチャとして位置付けられています。GAA設計では、ゲートがチャネル（主にナノシートまたはナノワイヤの形状）を完全に取り囲む構造となっており、FinFETと比較して優れた静電制御を実現します。この構造により、リーク電流が大幅に低減され、駆動電流が向上し、3nm以下の先端プロセスノードにおけるトランジスタの継続的な微細化が可能となります。
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従来のFinFETアーキテクチャが物理的および性能面で限界に直面する中、GAAトランジスタは、高性能コンピューティング（HPC）、人工知能（AI）、モバイルプロセッサ、データセンター向けの次世代ロジックチップにおいて、ムーアの法則を維持するための重要な技術となっています。本市場は、GAAベースの製造へ移行する主要半導体ファウンドリおよび統合デバイスメーカー（IDM）によって牽引されています。
市場規模およびシェア
世界のGAAトランジスタ市場は、プロセス開発、初期段階の量産、プレミアムロジックチップの採用を主因として、約12億～16億米ドル規模と推定されています。GAAが3nm以下のロジックノードにおける標準アーキテクチャとなるにつれ、今後10年間で年平均成長率（CAGR）25～30％で成長すると予測されています。
アジア太平洋地域は、韓国および台湾に先端半導体製造が集中していることから、市場を支配しています。市場シェアの大部分はファウンドリ主導の採用が占めており、これに続いて先端ロジックチップを自社生産するIDMが位置付けられています。現在、GAAの採用は最先端ノードに限定されていますが、FinFETの微細化が限界を迎える2026年以降、ロジックトランジスタ全体に占めるGAAの比率は急速に拡大すると見込まれています。
主な成長要因
・FinFET微細化の限界：FinFETは3nm以下で短チャネル効果への対応が困難となり、GAAへの移行が不可欠。
・高性能・低消費電力への需要：AI、HPC、モバイル用途では、より高い電力効率と高速スイッチングが求められる。
・先端ノード競争：主要ファウンドリは、次世代プロセスにおける差別化要因としてGAAを活用。
・優れた静電制御：GAA構造により、チャネル幅や厚みを精密に制御でき、性能とリークの最適化が可能。
・ナノシートのカスタマイズ性：可変ナノシート幅により、用途別に性能調整が可能。
市場セグメンテーション
・トランジスタ構造別：
ナノシートGAAトランジスタ、ナノワイヤGAAトランジスタ
・プロセスノード別：
3nm、2nm、2nm未満（研究開発およびパイロット生産）
・用途別：
高性能コンピューティング（HPC）、人工知能・機械学習アクセラレータ、モバイル・民生用プロセッサ、データセンターおよびクラウドインフラ
・エンドユーザー別：
ファウンドリ、統合デバイスメーカー（IDM）、ファブレス半導体企業（間接的採用）
メーカーおよび競争環境
GAAトランジスタ市場は、高度に集中し、資本集約的であり、少数の主要半導体メーカーおよび装置サプライヤーによって支配されています。サムスン電子は、GAA（ナノシートベース）トランジスタを量産に初めて導入した企業であり、その技術をMulti-Bridge Channel FET（MBCFET）として展開しています。TSMCは、今後の2nmノード向けにGAA技術を積極的に開発しており、10年後半に大規模採用が見込まれています。
IDMでは、インテルがプロセス主導権の奪還を目指し、RibbonFETと呼ばれるGAAアーキテクチャをロードマップに組み込んでいます。装置および材料分野では、ASML、Applied Materials、Lam Researchなどが、先端EUVリソグラフィ、成膜、エッチング技術を通じてGAA製造を支える重要な役割を担っています。
課題
・製造の複雑性：GAAは、ナノシート形成、積層、ゲート成膜において極めて高精度な工程が必要。
・高い設備投資：先端EUV装置やプロセス設備により、ファブコストが大幅に上昇。
・歩留まりの課題：初期GAAノードでは、成熟したFinFETプロセスと比べて歩留まりや欠陥の問題が残る。
・設計エコシステムの整備：EDAツールやIPライブラリは、GAA特有の設計ルールへの対応が必要。
こちらから調査レポートをご覧ください。https://www.kdmarketinsights.jp/industry/semiconductor-and-electronics
将来展望
GAAトランジスタ市場は、2026～2030年にかけて初期採用段階から主流の先端ノード展開へと移行すると予測されています。2030年代初頭には、GAAが最先端ロジック向けの支配的トランジスタアーキテクチャになると見込まれています。
主な将来トレンドには以下が含まれます。
・ナノシートから積層型または相補型GAA（CFET）アーキテクチャへの移行
・EUVおよびHigh-NA EUVリソグラフィとのさらなる統合
・用途別性能最適化のためのナノシート寸法のカスタマイズ
・AIアクセラレータおよび高効率プロセッサでのGAA採用拡大
結論
ゲート・オール・アラウンド（GAA）トランジスタ市場は、FinFETの限界を超えて性能スケーリングを継続するために不可欠な、半導体デバイスアーキテクチャの根本的な転換を示しています。現在は最先端ノードに限定されているものの、主要ファウンドリおよびIDMによる急速な採用により、長期的には力強い成長が期待されます。コスト、製造の複雑性、歩留まりといった課題はあるものの、GAAトランジスタは先端ロジック製造の将来を定義する存在となるでしょう。GAAプロセス統合、装置技術革新、設計基盤の確立をいち早く実現した企業が、次世代半導体技術の主導権を握ると考えられます。
・トランジスタ構造別：
ナノシートGAAトランジスタ、ナノワイヤGAAトランジスタ
・プロセスノード別：
3nm、2nm、2nm未満（研究開発およびパイロット生産）
・用途別：
高性能コンピューティング（HPC）、人工知能・機械学習アクセラレータ、モバイル・民生用プロセッサ、データセンターおよびクラウドインフラ
・エンドユーザー別：
ファウンドリ、統合デバイスメーカー（IDM）、ファブレス半導体企業（間接的採用）
メーカーおよび競争環境
GAAトランジスタ市場は、高度に集中し、資本集約的であり、少数の主要半導体メーカーおよび装置サプライヤーによって支配されています。サムスン電子は、GAA（ナノシートベース）トランジスタを量産に初めて導入した企業であり、その技術をMulti-Bridge Channel FET（MBCFET）として展開しています。TSMCは、今後の2nmノード向けにGAA技術を積極的に開発しており、10年後半に大規模採用が見込まれています。
IDMでは、インテルがプロセス主導権の奪還を目指し、RibbonFETと呼ばれるGAAアーキテクチャをロードマップに組み込んでいます。装置および材料分野では、ASML、Applied Materials、Lam Researchなどが、先端EUVリソグラフィ、成膜、エッチング技術を通じてGAA製造を支える重要な役割を担っています。
課題
・製造の複雑性：GAAは、ナノシート形成、積層、ゲート成膜において極めて高精度な工程が必要。
・高い設備投資：先端EUV装置やプロセス設備により、ファブコストが大幅に上昇。
・歩留まりの課題：初期GAAノードでは、成熟したFinFETプロセスと比べて歩留まりや欠陥の問題が残る。
・設計エコシステムの整備：EDAツールやIPライブラリは、GAA特有の設計ルールへの対応が必要。
こちらから調査レポートをご覧ください。https://www.kdmarketinsights.jp/industry/semiconductor-and-electronics
将来展望
GAAトランジスタ市場は、2026～2030年にかけて初期採用段階から主流の先端ノード展開へと移行すると予測されています。2030年代初頭には、GAAが最先端ロジック向けの支配的トランジスタアーキテクチャになると見込まれています。
主な将来トレンドには以下が含まれます。
・ナノシートから積層型または相補型GAA（CFET）アーキテクチャへの移行
・EUVおよびHigh-NA EUVリソグラフィとのさらなる統合
・用途別性能最適化のためのナノシート寸法のカスタマイズ
・AIアクセラレータおよび高効率プロセッサでのGAA採用拡大
結論
ゲート・オール・アラウンド（GAA）トランジスタ市場は、FinFETの限界を超えて性能スケーリングを継続するために不可欠な、半導体デバイスアーキテクチャの根本的な転換を示しています。現在は最先端ノードに限定されているものの、主要ファウンドリおよびIDMによる急速な採用により、長期的には力強い成長が期待されます。コスト、製造の複雑性、歩留まりといった課題はあるものの、GAAトランジスタは先端ロジック製造の将来を定義する存在となるでしょう。GAAプロセス統合、装置技術革新、設計基盤の確立をいち早く実現した企業が、次世代半導体技術の主導権を握ると考えられます。
